士兰微新获得发明专利授权：“双向功率器件及其制造方法”

专利摘要：本申请公开了一种双向功率器件及其制造方法，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、屏蔽介质层、屏蔽栅；以及位于第一沟槽区的多个沟槽的上部并覆盖屏蔽栅和屏蔽介质层的耐压层，其中，屏蔽介质层将控制栅和屏蔽栅分隔，耐压层承受的最大电场强度大于半导体层承受的最大电场强度，随着耐压层厚度的增加，承担了纵向方向上源区和漏区上施加的高压，提高了双向功率器件的耐压特性。

今年以来士兰微新获得专利授权88个，较去年同期增加了11.39%。结合公司2023年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了3.63亿元，同比增15.47%。

数据来源：企查查

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